SSM6N815R,LF

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Parte del produttore

SSM6N815R,LF

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
314
Schede tecniche in linea
SSM6N815R,LF PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSVIII-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate, 4V Drive
  • drain to source tensione (vdss):100V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2A (Ta)
  • rds su (max) @ id, vgs:103mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:3.1nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:290pF @ 15V
  • potenza - max:1.8W (Ta)
  • temperatura di esercizio:150°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:6-SMD, Flat Leads
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-TSOP-F
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