SISF20DN-T1-GE3

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Parte del produttore

SISF20DN-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
24
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchFET® Gen IV
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):60V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:33nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1290pF @ 30V
  • potenza - max:5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:PowerPAK® 1212-8SCD
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerPAK® 1212-8SCD
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