NTMFD1D4N02P1E

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Parte del produttore

NTMFD1D4N02P1E

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 8PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):25V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
  • rds su (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA, 2V @ 800µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
  • potenza - max:960mW (Ta), 1W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerWDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-PQFN (5x6)
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