NP35N055YUK-E1-AY

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Parte del produttore

NP35N055YUK-E1-AY

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):55 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:6.7mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3360 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1W (Ta), 97W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-HSON
  • pacchetto / custodia:8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
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