IPB034N03LGATMA1

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Parte del produttore

IPB034N03LGATMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
IPB034N03LGATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3.4mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5300 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):94W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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