Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK31J60W5,S1VQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: TK31J60W5,S1VQ

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: TK31J60W5,S1VQ PDF

TK31J60W5,S1VQ Avviso

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serie:DTMOSIV
pacchetto:Tube
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30.8A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 1.5mA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
caratteristica dei piedi:Super Junction
dissipazione di potenza (max):230W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3P(N)
pacchetto / custodia:TO-3P-3, SC-65-3

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