RJU002N06FRAT106

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Parte del produttore

RJU002N06FRAT106

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
24000
Schede tecniche in linea
RJU002N06FRAT106 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200mA (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):±12V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:18 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):200mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:UMT3
  • pacchetto / custodia:SC-70, SOT-323
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