FDN359AN

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Parte del produttore

FDN359AN

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
63000
Schede tecniche in linea
FDN359AN PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:46mOhm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:480 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SuperSOT-3
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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