IRFHS8342TR2PBF

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Parte del produttore

IRFHS8342TR2PBF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
200000
Schede tecniche in linea
IRFHS8342TR2PBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.8A (Ta), 19A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 10 V
  • vg (massimo):-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TSDSON-6
  • pacchetto / custodia:6-PowerVDFN
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