Name: TK10V60W,LVQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK10V60W,LVQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: TK10V60W,LVQ

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: TK10V60W,LVQ PDF

TK10V60W,LVQ Avviso

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serie:DTMOSIV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.7A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 500µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 300 V
caratteristica dei piedi:Super Junction
dissipazione di potenza (max):88.3W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:4-DFN-EP (8x8)
pacchetto / custodia:4-VSFN Exposed Pad

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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