IMBG120R045M1HXTMA1

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Parte del produttore

IMBG120R045M1HXTMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1813
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:CoolSiC™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain to source tensione (vdss):1.2 kV
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:47A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:63mOhm @ 16A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5.7V @ 7.5mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 18 V
  • vg (massimo):+18V, -15V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.527 nF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • dissipazione di potenza (max):227W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO263-7-12
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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