SCT3160KW7TL

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Parte del produttore

SCT3160KW7TL

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
50
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:17A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:208mOhm @ 5A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5.6V @ 2.5mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 18 V
  • vg (massimo):+22V, -4V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:398 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):100W
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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