CSD16327Q3T

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Parte del produttore

CSD16327Q3T

Produttore
Texas
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
941
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):25 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):3V, 8V
  • rds su (max) @ id, vgs:4mOhm @ 24A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:8.4 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):+10V, -8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 12.5 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):74W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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