H5N2901LSTL-E

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Parte del produttore

H5N2901LSTL-E

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
10000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:-
  • tecnologia:-
  • drain to source tensione (vdss):-
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:-
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):-
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:-
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
  • pacchetto / custodia:-
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