NVBG040N120SC1

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Parte del produttore

NVBG040N120SC1

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
115
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):20V
  • rds su (max) @ id, vgs:56mOhm @ 35A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:4.3V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 20 V
  • vg (massimo):+25V, -15V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1789 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):357W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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