Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia
SKU: PMXB360ENEAZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: PMXB360ENEAZ

Produttore: Nexperia

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 277

Schede tecniche in linea: PMXB360ENEAZ PDF

PMXB360ENEAZ Avviso

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serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.7V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4.5 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 40 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:DFN1010D-3
pacchetto / custodia:3-XDFN Exposed Pad

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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