TPN1R603PL,L1Q

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Parte del produttore

TPN1R603PL,L1Q

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
15760
Schede tecniche in linea
TPN1R603PL,L1Q PDF
Inchiesta
  • serie:U-MOSIX-H
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 300µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):104W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
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