QJD1210SA1

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Parte del produttore

QJD1210SA1

Produttore
Powerex, Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
QJD1210SA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100A
  • rds su (max) @ id, vgs:17mOhm @ 100A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:1.6V @ 34mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:330nC @ 15V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:8200pF @ 10V
  • potenza - max:520W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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