IPG20N10S4L22ATMA1

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Parte del produttore

IPG20N10S4L22ATMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
25448
Schede tecniche in linea
IPG20N10S4L22ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:2 N-Channel (Dual)
  • caratteristica dei piedi:Logic Level Gate
  • drain to source tensione (vdss):100V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
  • rds su (max) @ id, vgs:22mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 25µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:27nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1755pF @ 25V
  • potenza - max:60W
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:8-PowerVDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8-4
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