APTM100H80FT1G

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Parte del produttore

APTM100H80FT1G

Produttore
Microsemi
Descrizione
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - array
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
APTM100H80FT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:4 N-Channel (H-Bridge)
  • caratteristica dei piedi:Standard
  • drain to source tensione (vdss):1000V (1kV)
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A
  • rds su (max) @ id, vgs:960mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:150nC @ 10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3876pF @ 25V
  • potenza - max:208W
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:SP1
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SP1
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