APT70GR65B2SCD30

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Parte del produttore

APT70GR65B2SCD30

Produttore
Microsemi
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):134 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):260 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 70A
  • potenza - max:595 W
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:-
  • carica di cancello:305 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:19ns/170ns
  • condizione di test:433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:T-MAX™ [B2]
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