FGB5N60UNDF

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Parte del produttore

FGB5N60UNDF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
73530
Schede tecniche in linea
FGB5N60UNDF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):10 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):15 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 5A
  • potenza - max:73.5 W
  • energia di commutazione:80µJ (on), 70µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:12.1 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:5.4ns/25.4ns
  • condizione di test:400V, 5A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):35 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263AB (D²PAK)
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