JAN2N6798

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Parte del produttore

JAN2N6798

Produttore
Microsemi
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Military, MIL-PRF-19500/557
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.5A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:420mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:42.07 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-39
  • pacchetto / custodia:TO-205AF Metal Can
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