IPN70R1K5CEATMA1

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Parte del produttore

IPN70R1K5CEATMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1733
Schede tecniche in linea
IPN70R1K5CEATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):700 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.4A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 100µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:Super Junction
  • dissipazione di potenza (max):5W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-SOT223
  • pacchetto / custodia:SOT-223-3
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