Name: FQA6N90_F109
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQA6N90_F109
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: FQA6N90_F109

Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: FQA6N90_F109 PDF

FQA6N90_F109 Avviso

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serie:QFET®
pacchetto:Tube
stato di parte:Obsolete
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.4A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1880 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):198W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3P
pacchetto / custodia:TO-3P-3, SC-65-3

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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BSS192,135 Rochester Electronics	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	Disponibile: 23.000	$0.14000
IRFB4115GPBF Rochester Electronics	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	Disponibile: 1.413	$1.77000
SIHB25N50E-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 500V 26A TO263	Disponibile: 8	$3.81000
IRFZ44VPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB	Disponibile: 5.663	$1.18000
UJ3C120150K3S UnitedSiC	SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3	Disponibile: 799	$9.16000
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IPD60R280P7SE8228AUMA1 IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3	Disponibile: 0	$0.58118
FQU12N20TU Rochester Electronics	MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK	Disponibile: 20.847	$0.41000