SIHB25N50E-GE3

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Parte del produttore

SIHB25N50E-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
8
Schede tecniche in linea
SIHB25N50E-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):500 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:26A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:145mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1980 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263 (D²Pak)
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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