NXH25C120L2C2SG

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Parte del produttore

NXH25C120L2C2SG

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • configurazione:Three Phase Inverter with Brake
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):25 A
  • potenza - max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 25A
  • corrente - interruzione del collettore (max):250 µA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:6.2 nF @ 20 V
  • ingresso:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistore NTC:Yes
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:26-DIP
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