FP100R07N3E4BOSA1

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Parte del produttore

FP100R07N3E4BOSA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
IGBT MOD 650V 100A 335W
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
FP100R07N3E4BOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):100 A
  • potenza - max:335 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 100A
  • corrente - interruzione del collettore (max):1 mA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:6.2 nF @ 25 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:No
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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