FPF2C110BI07AS2

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Parte del produttore

FPF2C110BI07AS2

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
FPF2C110BI07AS2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • configurazione:Half Bridge
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):40 A
  • potenza - max:300 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • corrente - interruzione del collettore (max):250 µA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:-
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:Yes
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:30-DIP Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:F2
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