FF200R12KT4HOSA1

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Parte del produttore

FF200R12KT4HOSA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
51
Schede tecniche in linea
FF200R12KT4HOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:C
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configurazione:Half Bridge
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):320 A
  • potenza - max:1100 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
  • corrente - interruzione del collettore (max):5 mA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:No
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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