FZ1200R17HE4HOSA2

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Parte del produttore

FZ1200R17HE4HOSA2

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
FZ1200R17 - IGBT MODULE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - moduli
Serie
-
Disponibile
12
Schede tecniche in linea
FZ1200R17HE4HOSA2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • configurazione:Single Switch
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1.7 V
  • corrente - collettore (ic) (max):1.2 A
  • potenza - max:7.8 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 1200A
  • corrente - interruzione del collettore (max):5 mA
  • capacità di ingresso (cies) @ vce:97 nF @ 25 V
  • ingresso:Standard
  • termistore NTC:No
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Chassis Mount
  • pacchetto / custodia:Module
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Module
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