DTD713ZMT2L

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Parte del produttore

DTD713ZMT2L

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
5522
Schede tecniche in linea
DTD713ZMT2L PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo a transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):200 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):30 V
  • resistenza - base (r1):1 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:140 @ 100mA, 2V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:260 MHz
  • potenza - max:150 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-723
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:VMT3
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