PDTA115EMB,315

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Parte del produttore

PDTA115EMB,315

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
NOW NEXPERIA PDTA115EMB - SMALL
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - singolo, pre-polarizzato
Serie
-
Disponibile
199970
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:PNP - Pre-Biased
  • corrente - collettore (ic) (max):20 mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
  • resistenza - base (r1):100 kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):100 kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 5V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:150mV @ 250µA, 5mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):1µA
  • frequenza - transizione:180 MHz
  • potenza - max:250 mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:3-XFDFN
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DFN1006B-3
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