TA9210D

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Parte del produttore

TA9210D

Produttore
Tagore Technology
Descrizione
RF GAN TRANSISTOR 12.5W
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Tray
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:GaN HEMT
  • frequenza:30MHz ~ 4GHz
  • guadagno:18dB
  • tensione - prova:32 V
  • corrente nominale (ampere):700mA
  • figura di rumore:-
  • corrente - prova:50 mA
  • potenza - uscita:12.5W
  • tensione - nominale:120 V
  • pacchetto / custodia:-
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
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