A2G26H281-04SR3

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Parte del produttore

A2G26H281-04SR3

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - rf
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
A2G26H281-04SR3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:LDMOS
  • frequenza:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • guadagno:14.2dB
  • tensione - prova:48 V
  • corrente nominale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • corrente - prova:150 mA
  • potenza - uscita:50W
  • tensione - nominale:125 V
  • pacchetto / custodia:NI-780S-4L
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:NI-780S-4L
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