APT80GA90S

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Parte del produttore

APT80GA90S

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
150
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 8®
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:PT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):900 V
  • corrente - collettore (ic) (max):145 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):239 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.1V @ 15V, 47A
  • potenza - max:625 W
  • energia di commutazione:1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:200 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:18ns/149ns
  • condizione di test:600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D3PAK
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