RFD3055LESM9A

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Parte del produttore

RFD3055LESM9A

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
22500
Schede tecniche in linea
RFD3055LESM9A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V
  • rds su (max) @ id, vgs:107mOhm @ 8A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:11.3 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±16V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):38W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-252AA
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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