NVTR01P02LT1G

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Parte del produttore

NVTR01P02LT1G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET -2
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
2097956
Schede tecniche in linea
NVTR01P02LT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):20 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.3A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:220mOhm @ 750mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.25V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:3.1 nC @ 4 V
  • vg (massimo):±12V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 5 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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