TJ200F04M3L,LXHQ

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Parte del produttore

TJ200F04M3L,LXHQ

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1000000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:U-MOSVI
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:200A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:460 nC @ 10 V
  • vg (massimo):+10V, -20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1280 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220SM(W)
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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