Name: BSC010N04LSATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC010N04LSATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: BSC010N04LSATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 193548

Schede tecniche in linea: BSC010N04LSATMA1 PDF

BSC010N04LSATMA1 Avviso

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serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:38A (Ta), 100A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:95 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6800 pF @ 20 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 139W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TDSON-8 FL
pacchetto / custodia:8-PowerTDFN

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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IRF7205PBF Rochester Electronics	MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO	Disponibile: 19.000 Su ordine: 19.000	$0.18000
SQM120P04-04L_GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 40V 120A TO263	Disponibile: 200.000 Su ordine: 200.000	$3.15000
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IRF630PBF Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB	Disponibile: 2.000.350 Su ordine: 2.000.350	$1.38000
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3	Disponibile: 45.000 Su ordine: 45.000	$0.49000
NTH4L040N120SC1 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4	Disponibile: 110 Su ordine: 110	$17.15000