APT17F80B

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Parte del produttore

APT17F80B

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 18A TO247
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
APT17F80B PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 8™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):800 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:580mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:122 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3757 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247 [B]
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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