NTZS3151PT1G

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Parte del produttore

NTZS3151PT1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
20000
Schede tecniche in linea
NTZS3151PT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):20 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:860mA (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):1.8V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:150mOhm @ 950mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:458 pF @ 16 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):170mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-563
  • pacchetto / custodia:SOT-563, SOT-666
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