FQPF7N65C

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Parte del produttore

FQPF7N65C

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
1000
Schede tecniche in linea
FQPF7N65C PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.245 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):52W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220F
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack
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