SCT2080KEHRC11

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Parte del produttore

SCT2080KEHRC11

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
45000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):18V
  • rds su (max) @ id, vgs:117mOhm @ 10A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 4.4mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 18 V
  • vg (massimo):+22V, -6V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2080 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247N
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
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