IRF7413ZPBF

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Parte del produttore

IRF7413ZPBF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
40000
Schede tecniche in linea
IRF7413ZPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):-
  • rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.25V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1210 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-SO
  • pacchetto / custodia:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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