IRF3205PBF

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Parte del produttore

IRF3205PBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
286767
Schede tecniche in linea
IRF3205PBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):55 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:110A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 62A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:146 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3247 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220AB
  • pacchetto / custodia:TO-220-3
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