FDMS86201

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Parte del produttore

FDMS86201

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
3071
Schede tecniche in linea
FDMS86201 PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):120 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.6A (Ta), 49A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 11.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2735 pF @ 60 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:8-PQFN (5x6)
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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