IRF6618TRPBF

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Parte del produttore

IRF6618TRPBF

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
5400000
Schede tecniche in linea
IRF6618TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Ta), 170A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:2.2mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5640 pF @ 15 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DIRECTFET™ MT
  • pacchetto / custodia:DirectFET™ Isometric MT
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