Name: FQD4N25TM-WS
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQD4N25TM-WS
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: FQD4N25TM-WS

Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 10000

Schede tecniche in linea: FQD4N25TM-WS PDF

FQD4N25TM-WS Avviso

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serie:QFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 10 V
vg (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:D-Pak
pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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