C3M0120065K

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Parte del produttore

C3M0120065K

Produttore
Wolfspeed - a Cree company
Descrizione
650V 120M SIC MOSFET
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
440
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:C3M™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:22A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):15V
  • rds su (max) @ id, vgs:157mOhm @ 6.76A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:3.6V @ 1.86mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 15 V
  • vg (massimo):+19V, -8V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:640 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):98W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-4L
  • pacchetto / custodia:TO-247-4
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